Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRF540
|
Land:
USA
|
|
| Identisch mit |
IRF540
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 100 V; Id: 28 A; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): <0.077 Ohm; Pd: 150 W; tmax: 175 °C.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Sammlerpreise |
1 Sammlerpreise (nur sichtbar für
Mitglieder Radiomuseum.org)
|
| Literatur |
- - -
- - Manufacturers Literature
- - -
- - -
|
|
IRF540
Günther Stabe † 19.8.20
Mehr...
|
|
IRF540: International-Rectifier Datenblatt
Oskar Elm
Mehr...
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
