Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N2608
|
Land:
USA
|
|
| Identisch mit |
2N2608
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium P-Kanal Sperrschicht FET;
Form/Case/Outline: TO-18 Anschlussfolge SGD;
Daten/electr.data: I dss: 0.9 ... 4.5 mA; U S: <4 V; Isp: <10 nA; ß (beta): >1; N: 300 mW; Imax(Ig): 50 mA; BV gss: -30 V; f g(FT): __ MHz; tmax j: 150 °C; rauscharm.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 6 x 6 mm / 0.24 x 0.24 x 0.24 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) KTT 1969/70, TTT Steidle 1981
|
|
2N2608: TVT 73
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
2N2608: National Semiconductor 1978
Heinz Höger
Mehr...
|
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
