Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SC2682
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SC2682
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN;
Form/Case: TO-126 (ML) Anschlussfolge ECB;
Daten/electr.data: I F: 5 mA; U F: 5 (3) V; U S: 0.8 V; Isp: <1 µA; ß (beta): 100-320*; N: 10 (8) W; Imax(Ic): 100 mA; Umax/Ucb): 180 V; Umax(Uce): 180 V; f g(FT): 200 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SA1142.
Varianten: 2SC2682-Q (-O) = 100-200*, 2SC2682-P (-Y) = 160-320* (hfe-Gruppen);
Ähnlich/similar: KSC2682 (Fairchild/Samsung, ROK), HSC2682 (Hi-Sincerity, PRoC): Abweichungen in Klammern -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 11 x 4 mm / 0.31 x 0.43 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. NEC, Fairchild/Samsung, HS
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2SC2682: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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