Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK703
|
Land:
Japan
|
|
| Identisch mit |
2SK703
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET;
Form/Case: TO-220-Iso Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 100 V; Id: 5 A; Vgss: +/- 20 V; Vgs(off): 1 ... 2.5 V; Pd: 35 W; Idss: <10 µA; Igss: <100 nA; Rds(on): 0.2 Ohm; tf: 30 ns; tmax j: 150 °C.
Leistungstreiber -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 17 x 5 mm / 0.39 x 0.67 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
|
|
2SK703: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
