Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK727
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK727
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
2SK1044
; 2SK1045
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET;
Form/Case: ~ TO-3-Pl Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 900 V; Id: 5 A; Pd: 125 W; Vgss: +/- 20 V; Idss: <500 µA; tmax j: 150 °C.
Manufactured by Fuji (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature
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2SK727
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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