Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
4E50
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Land:
USA
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| Identisch mit |
4E50
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium PNPN Vierschicht-Diode (Shockley-Diode);
Form/Case/Outline: Allglas DO-7 (4E50-8);
Daten/electr.data: I h: 1-15 mA*; U s: 50 V (+/- 4 V); I s: <125 µA; I o: <15 µA; R f: <0.3 Ω @ If=5 A; U sp: 125 V; N: __ mW; I F: 150 mA; t op: -40...+70 °C.
Variant: 4E50-28 = I h: 14-45 mA*;
Developed by Clevite Transistor (USA).
Bistabiler Zweipol;
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 3 x mm / 0.28 x 0.12 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. ITT Semiconductors
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4E50: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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4E50: Wikipedia
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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