Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
A1L4M
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
A1L4M
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: IC (1 Trans. NPN, 2 Widerst.) ;
Form/Case/Outline: TO-92 (AA1L4M) Anschlussfolge BCE | S-22 (BA1L4M), ECB | SOT23-Mini (FA1L4M, Marking: L31), EBC | SOT-23-3 (GA1L4M, Marking: L31), EBC;
Type/Application: "Digitaler Transistor": epitaxial planar NPN mit 2 integrierten Dünnfilm-Widerständen á ~ 47 kΩ;
Daten/electr.data: I F: 0.25 mA; Umax(Ucb): 60 V; Umax(Uce): 50 V; Imax(Ic): 100 mA; hfe1: 85-340; Ptot: <300 mW; t op: -55...150 °C; kompl.: N1L4M;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
4 x 3 x 2 mm / 0.16 x 0.12 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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