Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
BZX30
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Land:
Hong Kong
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| Identisch mit |
BZX30
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Zener-Diode;
Form/Case/Outline: DO-35;
Daten/electr.data: I z max: 13 mA; V z: 30 V; Ptot: <500 mW; t max j: 175 °C.
Family: BZX0V8 (BZX0,8) ... BZX39 -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
2 x 4 x mm / 0.08 x 0.16 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. COS/DAIWA
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BZX30: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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BZX30: VISHAY-Datenblatt
Oskar Elm
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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