Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
FDD10AN06A0
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Land:
USA
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| Identisch mit |
FDD10AN06A0
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| Sockel |
SMD generell
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: MOSFET N-Channel ;
Form/Case/Outline: TO-252-3 ;
Daten/electr.data: Vds max: 60 V; Vgs max: +/- 20 V; Id max: 50 A; Ptot max: 135 W; Tjmax: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
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FDD10AN06A0: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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