Radios antiguas y Radios de Colección
GT30J322
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País:
Japon
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| Idéntica a |
GT30J322
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| Base |
Wires
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| Descripción |
Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT intended as high power switch.
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Texto en otros idiomas
puede diferir
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Dimensiones
(Alt,Ancho,Prof.)
incl.pins/tip |
16 x 21 x 4 mm / 0.63 x 0.83 x 0.16 inch |
| Peso |
2 g / 0.07 oz |
| Literatura |
- - Manufacturers Literature
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GT30J322: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Colección personal de
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[rmxtube-en]
| Cumplimiento de datos |
Más información |
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