Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
KSD471A
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Land:
Südkorea
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| Identisch mit |
KSD471A
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
BC338
Grenzwerte anders:
2SD471
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material of transistor : Si, Process: epitaxial,
Polarity : npn
Maximum collector power dissipation (Pc) : 800mW
Maximum collector-base voltage (Ucb) : 40V
Maximum collector-emitter voltage (Uce) : 30V
Maximum emitter-base voltage (Ueb) : 5V
Maximum collector current (Ic max) : 1A
Maximum junction temperature (Tj) : 150°C
Transition frequency (ft) : 130MHz
Collector capacitance (Cc), pF : 16
Forward current transfer ratio (hFE), min/max : 70/140
Manufacturer : SAMSUNG, second source : Fairchild
Package : TO-92
Application : Low Power, General Purpose
Variants: KSD471A-G (green) = 200/400*, KSD471A-O (orange) = 70/140*, KSD471A-Y (yellow) = 120/240*,
(beta/hfe);
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler)
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KSD471A: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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