Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SBL3040PT
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Land:
USA
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| Identisch mit |
SBL3040PT
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Schottky Barrier-Dioden;
Form/Case/Outline: TO-3P, Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Daten/electr.data: Io: 30 A; Ifsm: 275 A; Vfm: 0.55 V; Irm: 1 mA; Vrrm: 40 V; Vr: 28 V; tmax j: 150 °C.
Manufactured by DIODES Inc. (USA) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 22 x 5 mm / 0.63 x 0.87 x 0.20 inch |
| Gewicht |
6 g / 0.21 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature DIODES Inc.
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SBL3040PT: DIODES INc.
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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