Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SSM04N70
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
SSM04N70
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 (SSM04N70BGP) l TO-220-Iso (SSM04N70BF) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 30 V; Idss: <100 µA; Igss: <100 nA; Vgs(th): 2 ... 4 V; Pd: 62.5 W (TO-220) / __ W (TO-220-Iso); Id: 4 A; Vdss: 650 V; Rds(on): <2.4 Ω; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature SSC - Silicon Standard Corp.
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SSM04N70: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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