Radios antiguas y Radios de Colección
STP3N150
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País:
Francia
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| Idéntica a |
STP3N150
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| Base |
Wires
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| Descripción |
Silicon n-channel power MOS-FET, enhancement mode, 1500 V, 2.5 A.
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Texto en otros idiomas
puede diferir
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Dimensiones
(Alt,Ancho,Prof.)
incl.pins/tip |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Peso |
2 g / 0.07 oz |
| Literatura |
- - Manufacturers Literature ST (SGS-Thomson) Microelectronics
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STP3N150: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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STP3N150: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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Colección personal de
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[rmxtube-en]
| Cumplimiento de datos |
Más información |
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