Basis-Emitter-Sperrspannung von Germanium-HF-Transistoren

Frage zu Basis-Emitter-Sperrspannung von Germanium-HF-Transistoren

Der in den Datenblättern angegebene Grenzwert für die
Basis-Emitter-Sperrspannung von Germanium-HF-Transistoren
liegt meist bei 0,3V. (Beispiel AF239).
Der zulässige maximale Basisstrom liegt bei 1mA,
die maximale Gesamtverlustleistung ist mit 60mW angegeben.

Meine Frage ist nun, warum diese UBEO so klein ist.
Was passiert, wenn ich die Basis-Emitterstrecke des Transistors
mit einer höheren Spannung sperre, etwa 1V oder 5V?
Ich setze dabei voraus, dass durch einen passenden
Vorwiderstand der eventuell auftretende Sperrstrom so begrenzt
wird, dass die max. Gesamtverlustleistung nicht überschritten
wird.

Der Hintergrund der Frage ist ein Verfahren zum Feststellen
der Pinbelegung unbekannter Transistoren. Man kann ja mit
einem Ohmmeter die Durchlassrichtung der BE- und der CB-Diode
herausfinden. Dabei könnte man mit einem ältern Ohmmeter
die BE-Strecke mit einer zu hohen Sperrspannung belasten.
Heutige digitale Messgeräte arbeiten im Ohm-Bereich jedoch
nur noch mit bis zu 0,3V, was solchen AF-Transistoren nichts
mehr anhaben dürfte.

Ich bin auf die Problematik aufmerksam geworden durch den
Artikel "Wodurch kann ein Transistor zerstört werden?" in
"Grundig Technische Informationen", August 1963, S. 601.
Dort steht:
"Heute werden als HF-Transistoren nur noch diffusionslegierte
Typen verwendet (AF121 bis 127, AF134 bis 138 o.ä.).
Bei diesen Typen darf eine Spannung von 0,5 bis 0,7 Volt der
Emitter-Basisstrecke nicht überschritten werden, sonst findet
ein Durchschlag statt, der den Transistor unbarmherzig zerstört."

Ich will meine alten Transistoren nicht durch ein risikobehaftetes
Prüfverfahren gefährden. Deshalb stelle ich hier diese meine Frage.
Vielleicht hat sich schon jemand mit der Frage beschäftigt.

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Hallo Herr Sticht

Ich habe mir das Datenblatt des AF239 gerade mal angesehen. Bei der U_EBO Spannung handelt es sich m.E. nach um die Kniespannung der Basis-Emitter Diode in Durchlassrichtung und nicht um die maximale zulässige Spannung in Sperrichtung. Das Minuszeichen im Datenblatt vor dem U_EBO Wert kommt daher, dass es sich um einen PNP Transistor handelt und die Basis in Durchlassrichtung daher negativ gegenüber dem Emitter sein muss.

Gruß Jochen Bauer

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Hallo Herr Bauer,

danke für Ihre Antwort. Es ist etwas verwirrend, wenn man sich klar machen will,
was UBE, UEB, -UBE oder -UEB bedeuten.

Deshalb verwende ich lieber die Namen Sperrspannung oder Durchlassspannung.
Siemens hat den Begriff "Emitter-Basis-Sperrspannung" aber beispielsweise im
Datenbuch 1972/73 über Einzelhalbleiter am beiliegenden Bild erklärt.
Wenn also in den Datenblättern -UEBO mit 0,3V angegeben wird, so ist damit
also die Sperrspannung gemeint.

Unter semicon-data finden Sie im Internet u.A. das Datenblatt des Transistors
AF239S. Dort ist auch ein Diagramm IC=f(UBE) gezeigt. -UBE geht da bis 0,46V.
In dem Diagramm wird die Durchlassspannung gezeigt.
Mir ist da der Unterschied UBE gegenüber UEB aufgefallen.

Viele Grüße Werner Sticht.

• Emitter-Basis-Sperrspannung laut Siemens-Katalog (12 KB)

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Wenn Sie mir helfen wollen, so benützen Sie bitte den Link Mail an Autor unten.
Nehmen Sie NICHT den Link Antworten.

Ich stelle hier nochmals meine Fragen in einer erweiterten Form.
Es geht um Germanium-HF-Transistoren und dort um die betragsmäßig maximale
UBE0 (Basis-Emitter-Sperrspannung). Einige dieser Transistoren haben da einen
Wert von 1-2V (AF114, siehe Anlage). Silizium-Transistoren haben Werte >=4V.
Aber viele AF-Transistoren haben nur einen Wert von 0,3V (etwa AF239, siehe Daten in rmorg).

• Was passiert mit diesen Transistoren, wenn man die 0,3V überschreitet?
• Erfolgt da ein Durchbruch oder eine Überhitzung? Warum geschieht das?
• Hat es etwas mit dem Thema "Drifttransistoren" zu tun?

 

Als Anhang bringe ich Daten und Kennlinien des Transistors AF114,
welche mir Rudolf Drabek hat zukommen lassen.

• Daten des AF114 (38 KB)
• Kennlinien des AF114 (41 KB)

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