• Pays
• Japon

• Fabricant / Marque
• Silver (Brand) - Shin-Shirasuna Electric Corp; Nagoya

• Année
• 1968 ??

• Catégorie
• Radio - ou tuner d'après la guerre 1939-45

• Radiomuseum.org ID
• 262721

• • alternative name: Shin-Shirasuna Electric Corp. || Shirasuna Denki Mfg. Co. Ltd. || Shirasuna (Shin) Electric Corp.
  • Brand: Plata (brand)

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• No. de transistors
• 9

• Semi-conducteurs
• 2SC460 2SC460 2SA12 2SA12 2SB77 2SB75 2SB75 2SB457 2SB457

• Principe général
• Super hétérodyne (en général)

• Gammes d'ondes
• PO et plus que 2 x OC

• Tension / type courant
• Secteur et Piles (tous types). / 120/240 / D: 6 x 1,5 Volt

• Haut-parleur
• HP dynamique à aimant permanent + bobine mobile

• Matière
• Plastique moderne (pas de bakélite, ni de catalin)

• De Radiomuseum.org
• Modèle: AC/Batt 5 Band 5S626 - Silver Brand - Shin-Shirasuna

• Forme
• Portative > 20 cm (sans nécessité secteur)

• Dimensions (LHP)
• 305 x 200 x 110 mm / 12 x 7.9 x 4.3 inch

• Remarques

• The Silver 5S626 is a 5-band AM portable radio covering from 530 kHz up to 30 MHz, offering a dedicated fine tuning dial and knob.

  Receiver bands

  • MW: 530 - 1600 kHz
  • SW1: 1,6 - 4,5 MHz
  • SW2: 4,5 - 10 MHz
  • SW3: 10 - 20 MHz
  • SW4: 20 - 30 MHz

  See also the similar Silver 9S-61 model featuring the same receiver bands coverage, sharing a similar chassis and transistor set but showing some differences like the battery/AC selector and Earphone sockets moved to the cabinet left side.

   

  Technical details

  This model uses two 2SC460 transistors (Q1 Mixer and Q2 Oscillator), two 2SA12 (Q3 1st IF and Q4 2nd IF), one 2SB77 (Q5 Tuning Indicator), two 2SB75 (Q6 Audio Amp and Q7 Driver Amp), and two 2SB457A (Q8 and Q9 Push-Pull Power Output).

  This model uses PNP germanium transistors whenever possible, while the RF sections used the then new Japanese NPN silicon planar transistors. Hitachi developed silicon planar transistors like the 2SC460 in 1966. In the years after several Japanese radios have been seen using this mix of germanium and silicon devices, as germanium had lower production cost than the new high performance silicon devices.

• Poids net
• 2.8 kg / 6 lb 2.7 oz (6.167 lb)

• Auteur
• Modèle crée par Manuel Albano Neves. Voir les propositions de modification pour les contributeurs supplémentaires.

• D'autres Modèles

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