2SA925

Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar Epitaxial PNP;
Form/Case/Outline: R-219 (~TO-92) Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 1 mA; U F: (-4) V; U S: <0.3 V; Isp: <0.2 µA; ß (beta): 57-504*; N: 250 mW; Imax(Ic): 30 mA; Umax(Ucb): -30 V**; Umax(Uce): -30 V**; f g(FT): 500 MHz; tmax j: 120 °C; kompl.: 2SC1908.
Varianten:2SA925-1[-y] = -30 V**;
2SA925-2[-y] = -45 V**;
2SA925-x-1 = 57-126*, 2SA925-x-2 = 114-252*, 2SA925-x-3 = 228-504* (hfe-Gruppen);
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