Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK1113
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK1113
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: N-Kanal-Sperrschicht-MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case: SC-64 / TO-251 Anschlussfolge: GDS;
Daten/electr.data: Vgs off: __ V; Vgss: +/- 20 V; Igss: +/- 5 µA; Idr: __ A; Pd: 20 W; Id: 3 A (peak: 12 A); Vdss: 120 V; td on: __ ns; tmax j: 150 °C;
Schneller Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 9 x 3 mm / 0.28 x 0.35 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
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2SK1113: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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2SK1113: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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