Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK519
|
Land:
Japan
|
|
| Identisch mit |
2SK519
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET;
Form/Case: TO-92S Anschlussfolge ___ (TO-260 Anschlussfolge: ___);
Daten/electr.data: Vgs(off): 1.5 ...9 V; Vgss: 30 V; Igss: <1 nA; Idr: 10 µA; Idss: 30...110 mA*; N: 350 mW; Id: 50 mA; Idss: 5...20 mA; Vds: 10 V; g(fs): >17 ms; tmax j: __ °C;
Varianten: SK519E = 30...50 mA*, 2SK519F = 45...65 mA*, 2SK519H = 60...80 mA*, 2SK519J = >95 mA*, 2SK519K = 90...110 mA (untersch. Idss) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
|
Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:6
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|