Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
3N163
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Land:
USA
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| Identisch mit |
3N163
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
FI100
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium P-Kanal MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-72 Anschlussfolge DGsS;
Daten/electr.data: Vd: 40 V; Id: 50 mA; Pd: 375 mW; ß (beta): 2...4; Idss: <10 µA; tmax j: __ °C.
Chopper
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 6 x 6 mm / 0.24 x 0.24 x 0.24 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) TTT Steidle 1981
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3N163: Texas Instruments
Heinz Höger
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3N163: TVT 73
Günther Stabe † 19.8.20
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3N163: National Semiconductor 1978
Heinz Höger
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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