Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
H2369
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
H2369
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
MPS2369
; PN2369
; TN2369
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN;
Form/Case: TO-92 Anschlussfolge CBE;
Daten/electr.data: I F: 10 mA; U F: 1 V; Isp: 0.03 µA; ß (beta): 40-120; N: 360 mW; Imax(Ic): 100 mA; Umax(Uce): 15 V; f g(FT): 650 MHz; tmax j: 200 °C.
(obige Daten sind vom PN2369) -
Manufactured by Shantou Huashan Electronic Devices Co Ltd (PRoC) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Shantou Huashan
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H2369: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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