Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRF841
|
Land:
Europa
|
|
| Identisch mit |
IRF841
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power Enhancement Mode MOS-FET;
Form/Case/Outline: ISOWATT218; TO-218;
Daten/electr.data: VDSS: 450 V; ID: 8A, ID: 4,5A (IRF840FI); RDS(on): <0.85 Ω; TJ: 150°C max.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
| Literatur |
- - Manufacturers Literature SGS Thomson
|
|
IRF841: Thomson
Egon Strampe
|
|
|
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
