Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRF841
Land:
Europa
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Identisch mit |
IRF841
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power Enhancement Mode MOS-FET;
Form/Case/Outline: ISOWATT218; TO-218;
Daten/electr.data: VDSS: 450 V; ID: 8A, ID: 4,5A (IRF840FI); RDS(on): <0.85 Ω; TJ: 150°C max.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Literatur |
- - Manufacturers Literature SGS Thomson
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IRF841: Thomson
Egon Strampe
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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