Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
K4S281632
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Land:
Südkorea
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| Identisch mit |
K4S281632
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Aufbau/Content: IC (CMOS LSI);
Form/Case/Outline: TSSOP-54 (K4S281632x-yyzz);
Applikation/Type: 2 M x 16-Bit x 4 banks synchronous DRAM. Max freq. 100 MHz (CL=2), Interface LVTTL;
Daten/electr.data: Vcc: 3.3 V; Icc: 140 mA; Pd: <1 W, t op: 0...70 °C.
Manufactured by Samsung -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
11 x 1 x 11 mm / 0.43 x 0.04 x 0.43 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Samsung
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K4S281632: Samsung
Günther Stabe † 19.8.20
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K4S281632: Samsung
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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