Radios antiguas y Radios de Colección
STP33N10L
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País:
Francia
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| Idéntica a |
STP33N10L
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| Base |
Wires
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| Descripción |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-220; ISOWATT220;
Daten/electr.data: VDS: 100V; ID: 33A; VGS: ±20V; RDS(ON): 0,06Ω; TOP: 175°C (max);
Variante: STP33N06LFI: ID: 18A;
Designed for Power Applications.
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| Literatura |
- - Manufacturers Literature
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STP33N10L: Thomson
Egon Strampe
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[rmxtube-en]
| Cumplimiento de datos |
Más información |
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