Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STW16N40
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STW16N40
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: N-channel Power MOS-FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-247 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: P tot: 180 W; I d: 16 A; V gs: +/- 20 V; Vgs(th): __ V; V dss: 400 V; Idss: __ µA; Igss: __ µA; Rds(on): <0.3 Ω; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST Microelectronics SGS-Thomson
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STW16N40: ST
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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