Aufbau/Content: IC (__ Trans., __ Widerst., __ Dioden, __ Kond.); Form/Case/Outline: SIP-9 mit Kühlplatte; Applikation/Type: 2 x 5.2 W AF Power Amplifier @ 4 Ohm | Bridge Amplifier 10.1 W @ 8 Ohm; Daten/electr.data: Vcc: 3.5 ... 17 V; Is: <30 mA; Rin: 100 kOhm; Imax: 1 A; Vin: 40 mV; 40...50'000 Hz. Ähnlich/similar: A2000D / A2000V (HFO) -
