Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1AS113
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Land:
Argentinien
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| Identisch mit |
1AS113
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Planar Diode;
Form/Case/Outline: ~TO-92 Anschlussfolge -KA (?);
Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: <1.1 V; I sp: 0.2 µA; U sp: 100 V; Imax: __ mA; Umax: 120 V; tmax j: 125 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers.
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1AS113: (GS)
Günther Stabe † 19.8.20
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1AS113: Texas Instruments RA
Jorge Juan Stark
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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