Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N3666
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Land:
USA
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| Identisch mit |
1N3666
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Germanium Schalt-Diode;
Form/Case/Outline: ~ DO-7 (Allglas);
Daten/electr.data: I F: 200 mA; U F: 0.5 V; I sp: 25 µA; U sp: 50 V; N: 80 mW, Imax: 50 mA*; 300 ns: Umax: 80 V; tmax j: 100 °C;
Manufactured by General Instrument Corp., Transitron Electronic Corp., Hughes Semiconductor Div. (0.5 A*), ...
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
3 x 7 x 3 mm / 0.12 x 0.28 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) KTT 1969/70
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1N3666: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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