Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N4470
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Land:
USA
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| Identisch mit |
1N4470
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium Zener-Diode 8.2 V, temperaturkompensiert;
Form/Case/Outline: ~ DO-7;
Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: __ V; I sp: __ µA; U sp: __ V; N: 0.5 W; Imax: 10 mA; U z: 8.2 V; tmax j: 150 °C;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
3 x 6 x mm / 0.12 x 0.24 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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