Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N4757
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Land:
USA
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| Identisch mit |
1N4757
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silicon Z-Diode;
Form/Case/Outline: DO-41;
Daten/electr.data: PD: 1W; VZ: 51V @ 5.5mA; IZ max : 19 mA; TJ: 175 °C;
Belongs to the family 1N4728...1N4764 = 3.3 ... 100 V
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 4 x mm / 0.31 x 0.16 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
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1N4757: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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