Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N4953
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Land:
USA
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| Identisch mit |
1N4953
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium (Schalt-) Diode;
Form/Case/Outline: DO-7;
Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: 1.0 V; I sp: 0.5 µA; N: __ mW, I fsm: 30 A; Umax: 30 V; tmax j: 175 °C;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
3 x 6 x mm / 0.12 x 0.24 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
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1N4953: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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