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1N5262

Information - Hilfe 
ID = 84820
       
Land:
Weltweit
Marke: Common type Worldwide tube/semicond.
Typ:  Halbleiter-Diode   Stromversorgung 
Identisch mit 1N5262
Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silicon Z-Diode;
Form/Case/Outline: DO-35;
Daten/electr.data: I F: __ mA, U F: __ V, I r: 0.1 µA, P: 500 mW, Iz max: 2.5 mA, Uz: 51 V +/- 20 %, f g: __ MHz, TJmax: 200 °C.
Varianten: 1N5262A = +/- 10 %; 1N5262B = +/- 5 %;
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 2 x 4 x mm / 0.08 x 0.16 x inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur -- Original-techn. papers.   Semtech
1n5262_1.png
1N5262: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer

Sammlung von

Peter Pfeiffer (D)
 
1n5262.jpg

 
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