Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N5657
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Land:
USA
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| Identisch mit |
1N5657
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silicon Transient Absorption Zener Diode;
Form/Case/Outline: ~ DO-13;
Daten/electr.data: Vbr: 100 V (+/- 10 %*); I t: 1 mA; Vwm: 81 V; Id @ Vwm: 5 µA; Vc max. @ Ipp: 144 V; Ipp max: 10.4 A; t op: -55...+100 °C;
Variante: 1N5657A = +/- 5 %*;
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 10 x 6 mm / 0.24 x 0.39 x 0.24 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. MicroSemi
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1N5657: Microsemi
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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