Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N6376
Land:
Weltweit
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Identisch mit |
1N6376
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau: Silicon Z-Diode;
Form/Case/Outline: DO-201; Transient Z-Diode Voltage Compressor;
Daten/electr.data: VZ: 12V@1mA; IZ peak: 70A; Ppeak: 1500W Tj: -55...175°C.
Variants: VZ: 5...45V (1N6373,,,1N6389)
Multiple Manufacturer
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Literatur |
- - Manufacturers Literature New Jersey Semi Conductor Products, Inc.
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1N6376: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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