Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N659
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Land:
USA
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| Identisch mit |
1N659
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium diff. Schalt-Diode;
Form/Case/Outline: ~ DO-29;
Daten/electr.data: I F: 6 mA; U F: 1 V; I sp: 5 µA; U sp: 50 V; N: 250 mW; Imax: 100 mA; Umax: 50 V; 300 ns; tmax j: 200 °C;
Variante: 1N659A = I F: 10 mA; I sp: 25 nA; Umax: 60 V;
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 4 x mm / 0.31 x 0.16 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) KTT 1969/70
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1N659: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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1N659: Texas Instruments Transistor& Dioden Manual
Heinz Höger
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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