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1N75

Information - Hilfe 
ID = 48053
       
Land:
USA
Marke: General Electric Co. (GE); Bridgeport CT, Syracuse NY
Typ:  Halbleiter-Diode   Universal 
Identisch mit 1N75
Ähnliche
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
  GW120
Erste Quelle(n)
Mar.1951 : -- Collector info (Sammler) Electronics 03/1951 S.112

Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Germanium Punktkontakt;
Form/Case: (axial);
Daten/electr.data: I F: 2.5 mA; U F: 1 V; Isp: 50 µA; Usp: 50 V; N: 130 mW; Imax: 50 mA; Umax: 100 V; f g(FT): __ MHz; tmax j: 75 °C.
Hochohmige Anwendungen; Variante: 1N75A made by Federal Telephone and Radio (USA) - 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
19 x 6 x mm / 0.75 x 0.24 x inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur - - -   
-- Collector info (Sammler)   KTT 1969/70
- - -
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1n5x_s_8.gif 1N75: Electronics March 1951 S.112
Günther Stabe † 19.8.20

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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