Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N804
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Land:
USA
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| Identisch mit |
1N804
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium diff. Schalt-Diode;
Form/Case: Allglas;
Daten/electr.data: I F: 50 mA; U F: 1 V; I sp: 10 µA; U sp: 175 V; Imax: __ mA; Umax: 175 V; 500 ns; tmax j: 200 °C.
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
4 x 13 x mm / 0.16 x 0.51 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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- - - KTT 1969/70
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1N804: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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