Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1N938
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Land:
USA
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| Identisch mit |
1N938
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silcon Temperatur Compensated Z-Diode (reference);
Form/Case/Outline: DO-7;
Daten/electr.data: PD: 500 mW; IZT: 7.5mA; VZ: 9V (± 5 %); ΔVZ: 6mV; ZZT: 20 Ω; TOP: 0...75 °C *;
Varianten: 1N938A = -55...+100 °C*, 1N938B = -55...+150 °C*;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
3 x 6 x mm / 0.12 x 0.24 x inch |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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