Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
1S103
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Land:
Weltweit
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| Identisch mit |
1S103
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium diff. Diode;
Form/Case/Outline: DO-1;
Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: <1.2 V; Isp: __ µA; N: __ mW; Imax: 750 mA; Umax: 400 V; f g(FT): __ MHz; tmax j: __ °C.
Family: 1S101...1S109 = 150...1000 V;
Variante: 1S103R = reverse;
Manufactured by Texas Instruments (GB) and Toshiba (J);
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 13 x mm / 0.39 x 0.51 x inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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1S103: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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