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1S86

Information - Hilfe 
ID = 39562
       
Land:
Japan
Marke: Toshiba Corporation; Tokyo
Typ:  Halbleiter-Diode 
Identisch mit 1S86
Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Silizium diff. Kapazitätsdiode / AFC;
Form/Case: axial;
Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: __ V; Isp: __ µA; N: 150 mW; Imax: 167 mA; Umax: 28 V; f g(FT): 20 MHz; C: 14 pF @ 10 V; tmax j: __ °C.
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 3 x 7 x mm / 0.12 x 0.28 x inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
do29_132.gif 1S86: DVT 1971 ECA
Günther Stabe † 19.8.20
Verwendung in Modellen 1= 1964? ; 2= 1968? ; 1= 1969?
Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:4
 
[rmxtube-ge, noindex]
  
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