Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
20N60
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Land:
Weltweit
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| Identisch mit |
20N60
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
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Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-MOS-FET;
Form/Case: TO-247 I TO-3P
Daten/electr.data: ID: 20A; VDSS: 600 V; RDS(on): 0.45Ω @ VGS: 10V.
Schneller Leistungsschalter
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| Literatur |
- - Manufacturers Literature UTC
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20N60: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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