Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2A265
| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Sperrschicht FET;
Form/Case/Outline: TO-92 Anschlussfolge SDG;
Daten/electr.data: Idss: 2... 4.5 mA; Vgs: >-0.4 V; Igss: <-10 nA; N: 300 mW; Id max: 10 mA; Ud max: 30 V; tmax j: 150 °C; rauscharm.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2A265: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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2A265: Texas Instruments RA
Jorge Juan Stark
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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