Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2C425
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Land:
Italien / Italy
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| Identisch mit |
2C425
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN Dual-Transistor;
Form/Case/Outline: TO-77 Anschlussfolge CBE-EBC-;
Daten/electr.data: I F: 50 mA; U S: <1.5 V; Isp: __ nA; ß (beta): >35; N: 510 mW; Imax(Ic): 100 mA; Umax(Uce): 60 V; f g(FT): __ MHz; C: __ pF; tmax j: __ °C.
Manufactured by SGS-ATES -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
9 x 7 x 8 mm / 0.35 x 0.28 x 0.31 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers.
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2C425: SGS
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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