Material/Aufbau/Pol.: Silizium Mesa NPN; Form/Case: TO-8 Anschlussfolge EBC; Daten/electr.data: I F: 750 mA; U F: 12 V; U S: <0.75 V; Isp: <15 µA; ß (beta): 35-100; N: 15 W; Imax(Ic): 3 A; Umax(Ucb): 100 V; Umax(Uce): 55 V; f g(FT): 1.25 MHz; tmax j: 175 °C. -
