Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N160
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Land:
USA
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| Identisch mit |
2N160
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
2N161
; 2N162
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Flächen NPN;
Form/Case: TO-22;
Daten/electr.data: I F: (1) mA; U F: __ V; Isp: 0.5 µA; ß (beta): 9-19; N: 150 mW; Imax(Ic): 25 mA; Umax(Ucb): 40 V; f g(FT): 4 MHz; tmax j: 175 °C.
Variante: 2N160A (grown junction);
Manufactured by Germanium Products (USA) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 8 x 5 mm / 0.39 x 0.31 x 0.20 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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2N160: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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