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2N169

Information - Hilfe 
ID = 38594
       
Land:
USA
Marke: General Electric Co. (GE); Bridgeport CT, Syracuse NY
Typ:  Transistor   HF/ZF-Stufe 
Identisch mit 2N169
Ähnliche
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
  2N1304 ; 2N165 ; 2T76
Grenzwerte anders:
  2N169A
Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Germanium (rate-grown ) Flächen NPN;
Form/Case/Outline: O-5 / TO-9;
Daten/electr.data: I F: 1 mA; U F: 1 V; Isp: 5 µA; ß (beta): 32-72; N: 65 mW; Imax(Ic): 20 mA; Umax(Ucb/Uce): 15 V; f g(FT): 9 MHz; tmax j: 85 °C.
Variante: 2N169A Germanium grown junction, TO-11, -25 V, ~ 2N78 -

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 9 x 11 x mm / 0.35 x 0.43 x inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   GE
-- Collector info (Sammler)   KTT 1969/70
2n169_applic.png
2N169: Personal file
Antonio Rabitti
to9_5.gif 2N169: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Verwendung in Modellen 1= 1956? ; 1= 1956 ; 23= 1957? ; 3= 1957 ; 12= 1958? ; 11= 1958 ; 1= 1959?? ; 3= 1959? ; 1= 1959 ; 3= 1960?? ; 2= 1960?
Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:61

Sammlung von

Siegfried Neumann (D)
 
usa_ge_2n169.jpg

 
[rmxtube-ge, noindex]
  
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