Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N2920
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Land:
USA
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| Identisch mit |
2N2920
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Zwei gleiche Silizium Epitaxial NPN Transistoren;
Form/Case/Outline: TO-78 Anschlussfolge C1-B1-E1-.-E2-B2-C2-.-;
Daten/electr.data: I F: 10 µA; U F: <0.35 V; Isp: <10 nA; ß (beta): 160-600; N: 600 mW; Imax(Ic): 30 mA; Umax(Uce): 60 V; f g(FT): >60 MHz; tmax j: 150 °C; rauscharm.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
9 x 5 x 8 mm / 0.35 x 0.20 x 0.31 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
D.A.T.A. Reference Standards for Industry D.A.T.A. Handbook Semiconductors
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2N2920: D.A.T.A. Handbook Semiconductors
Harald Giese
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2N2920: D.A.T.A. Handbook Semiconductors
Harald Giese
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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