Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N504
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Land:
USA
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| Identisch mit |
2N504
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Germanium Surface Barrier PNP MADT (Micro Alloy Diffused-base Transistor);
Form/Case: TO-24;
Daten/electr.data: I F: (1) mA; U F: __ V; Isp: <100 µA; ß (beta): 16; N: 55 mW; Imax(Ic): 50 mA; Umax(Uce): -(12) V; f g(FT): <150 MHz; tmax j: __ °C.
Weitere Typen in dieser MA[D]T-Technik: SB100-103, 2N128, 2N499-504, 2N588; -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 12 x 6 mm / 0.24 x 0.47 x 0.24 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original prospect or advert Electronics, December 1957
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2N504: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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