Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N5777
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Land:
USA
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| Identisch mit |
2N5777
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Photo-Transistor NPN;
Form/Case: TO-92 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: Empfindlichkeit: __ µA/___; Spektral max: __ µm; Dunkelstrom max (bei Ub=__ V): __ µA; Hellstrom max: __ mA; Umax: 25 V; Imax: 250 mA; N max: 200 mW; tmax: __ °C.
(no more data available yet) manufactured by GE and Motorola;
Variante: 2N5777(MOD.) Vceo: 40 V, manufactured by ASI -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 6 x 5 mm / 0.24 x 0.24 x 0.20 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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2N5777: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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