Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N5952
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Land:
USA
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| Identisch mit |
2N5952
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
2N5950
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET;
Form/Case/Outline: TO-92 Anschlussfolge DSG;
Daten/electr.data: I F: 0.1 µA; Vgs: 15 V; ß (beta): 2.0-6.5; N: 360 mW; Id max: 10 mA; Idss: 4...8 mA; Umax: 30 V; f g (FT): __ MHz; tmax j: 125 °C;
Manufactured by NSC and TI -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) TTT 1981 Steidle
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2N5952: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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2N5952: Texas Instruments Transistor& Dioden Manual
Heinz Höger
Mehr...
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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